ddr3 和ddr4内存可以混用吗
发布时间:2025-05-25 03:16:58 发布人:远客网络
一、ddr3 和ddr4内存可以混用吗
不可以,DDR4的金手指形状和电压都和DDR3不一样,主板一般都只支持其中一种。ddr4和ddr3不能通用。两种内存采用了不同的接口形式,主板只能支持一种。支持DDR3内存的主板,不支持使用DDR4的内存,同理,支持DDR4内存的主板,也无法安装DDR3的内存。
接口有所改变,DDR4内存金手指触点达到了284个,每一个触点间距只有0.85mm(DDR3内存金手指触点是240个,间距1mm)。因为这一改变,DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出,边缘收矮的形状,在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。
因此,DDR4是弯曲效果,而且 DDR4防呆口位置和DDR3比较起来更靠中间一点。因为兼容主板不同,DDR4和DDR3内存无法通用。
DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状,这意味着,DDR4内存不再兼容DDR3,老平台电脑无法升级DDR4内存,除非将CPU和主板都更换为新平台。
频率方面,DDR3内存起始频率为800,最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133,量产产品最高频率达到了3000,从内存频率来看,DDR4相比DDR3提升很大。
带宽方面,DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。综合来看,DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%,甚至更高。
3、DDR4内存容量提升明显,可达128GB
上一代DDR3内存,最大单挑容量为64GB,实际能买到的基本是16GB/32GB,而新一代DDR4内存,单条容量最大可以达到128GB,媲美SSD了。
4、DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低
上一代DDR3内存,采用1.5V标准电压,而DDR4内存则降低为1.2V,甚至可以做到更低,功耗下降了,更省电,并且可以减少内存的发热。
参考资料来源:百度百科-DDR4内存
参考资料来源:百度百科-DDR3 SDRAM
二、两根4G的DDR4内存条可以一起用吗
但是电脑会工作在DDR31333(666.7MHZ)的频率下,性能上会有点折损。
两条4G的相比一条8G来说,性能更好。
双通道能够带来2倍的内存带宽,双通道对那些必须与内存数据进行频繁交换的软件有极大的好处。
(1)容量。内存的容量当然是越大越好,但它要受到主板支持最大容量的限制。单条DDR内存的容量有128MB、256MB、512MB、1GB和2GB等几种。主板上通常都至少提供两个内存插槽,若安有多条内存,则电脑内存的总容量是所有内存容量之和。
(2)工作电压。SDRAM的工作电压为3.3V,DDR为2.5V,DDR2为1.8V,DDR3为1.5V。
(3)tCK时钟周期。tCK时钟周期代表内存所能运行的最大频率,一般用存取一次数据所需的时间(单位为ns,纳秒)作为性能指标,时间越短,速度越快。
一般内存芯片型号的后面印有-60、-10和-7等字样,表示存取速度为60ns、10ns和7ns。SDRAM内存速度最高可达7ns,DDR内存更是达到了5ns。
(4)CAS延迟。简称CL,指内存存取数据所需的延迟时间,也就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。
(5)SPD芯片。SPD(Serial Presence Detect)是一块附加在内存条上的8针ROM芯片,容量为256字节,里面主要记录了该内存的相关资料,如容量、芯片厂商、内存模组厂商等。
(6)内存线数。也就是金手指接触点的个数,有72线、168线、184线、240线等。
(7)ECC校验。ECC校验是新型内存的一种校验技术,与传统的奇偶校验类似,不同的是ECC能纠正绝大多数检测到的错误,奇偶校验则不行,这样系统就能在不中断和不破坏数据的情况下继续进行,为服务器和工作站的稳定运行提供了有利条件。
(8)总线频率。我们所说的DDR 266、DDR 333和 DDR 400中的“266”、“333”和“400”指的就是内存的总线频率。
(9)数据带宽。即内存同时传输数据的位数,以bit为单位。内存的数据带宽是通过内存的总线频率计算出来的,计算公式如下:数据带宽=(总线频率×带宽)/8。
参考资料来源:百度百科-内存参数
三、ddr3内存和ddr4内存能混用吗
ddr3内存插口和DDR4是不一样的,两者由干兼容的主板不同,因此DDR4和DDR3内存是不能通用的,更不用提DDR3+DDR4双通道了。另外DDR4内存需要新一代主板支持,因此老电脑用户,升级电脑不要去买DDR4内存,买了也用不了。
DDR4内存是新一代的内存规格,2011年1月4日,三星电子完成史上第一条DDR4内存。
DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。三星电子2011年1月4日宣布,已经完成了历史上第一款DDR4DRAM规格内存条的开发,并采用30nm级工艺制造了首批样品。
DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz,运行电压一般为1.5V,节能版也有1.35V。仅此一点,DDR4内存就可以节能最多40%。