1.5v内存条是几代的

一、1.5v内存条是几代的

DDR3(第三代）一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.5v，内存颗粒正方形。

1、SDR两个缺口，单面84针角，双面168针脚，电压3.3v，内存颗粒长方形（已淘汰）。

2、DDR1(第一代）一个缺口，单面92针脚，双面184针脚，电压2.5v,内存颗粒长方形。

3、DDR2(第二代）一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.8v，内存颗粒正方形。

DRAM( Dynamic RAM，动态随机存储器）的存储单元是由电容和相关元件做成的，电容内存储电荷的多寡代表信号0和1。电容存在漏电现象，电荷不足会导致存储单元数据出错，所以DRAM需要周期性刷新，以保持电荷状态。DRAM结构较简单且集成度高，通常用于制造内存条中的存储芯片。

SRAM( Static RAM，静态随机存储器）的存储单元是由晶体管和相关元件做成的锁存器，每个存储单元具有锁存“0”和“1”信号的功能。它速度快且不需要刷新操作，但集成度差和功耗较大，通常用于制造容量小但效率高的CPU缓存。

二、怎样区分内存条是几代

通过内存条外观，脚针，缺口。如果方便打开电脑检查，还可以用过软件区别。

DDR1(第一代)一个缺口，单面92针脚，双面184针脚，电压2.5v,内存颗粒长方形工作频率:266，333，400

DDR2(第二代)一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.8v，内存颗粒正方形工作频率:533,667,800

DDR3(第三代)一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.5v，内存颗粒正方形工作频率:1066,1333,1800

DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40%。

2、通过电脑开机区别，在电脑上下载鲁大师，

安装完成以后，打开鲁大师，找到硬件检测

可以清楚的看到，主板，内存条，处理器

三、内存条电压一档是多少

1、1.35V为DDR3L，为低电压版，被较新的CPU支持，DDR3L是伴随着2013年的Haswell(四代智能酷睿处理器）才出现的。

2、1.5V为DDR3，为标准版，为早期CPU支持，出的更早，功耗发热全高一些，一些全新的主板不能支持了。

3、高压内存条其实指的就是标准压，由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。

4、1.35的是低电压版的内存，从使用上来说，区别不大，从技术上来说低电压更先进些，电子都是电压越来越低发展，因为这样更省电，不过就一根内存来说，也没什么明显区别。

SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。

内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。

而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。

DDR3内存标准电压是1.5V。略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。