内存条编号和具体意思!

一、内存条编号和具体意思!

3D RAM(3 DIMESION RAM)：三维视频处理器专用存储器

CDRAM(Cached DRAM)：高速缓存存储器

CVRAM(Cached VRAM)：高速缓存视频存储器

DRAM(Dynamic RAM)：动态存储器一种随机存取记忆体(RAM)，记忆体不会一直保存记忆内容，会随着时间而将内容流失，技术上来说就是，记忆体必须不断的重新的加强(REFRESHED)电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格较静态记忆体(SRAM)便宜，但存取速度较慢，耗电量较大。

EDRAM(Enhanced DRAM)：增强型动态存储器

EDO RAM(Extended Date Out RAM)：扩展数据模式存储器

EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：扩展数据模式静态存储器

EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：扩展数据模式视频存储器

FPM RAM(Fast Page Mode)：快速页模式DRAM，当一个存取与前一次存取为同一记忆体页(PAGE)时，不用传输 ROW地址以加快存取速度。由于以页为单位加速，又称为 PAGE MODE MEMORY，存取速度从 120 NS到 60 NS。 FPM技术在 EDO DRAM技术出现之前是最常见的 DRAM种类。

FRAM(Ferro electric RAM)：铁电体存储器

MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽动态存储器由 MOSYS公司所发展的记忆体(MEMORY)架构，与传统架构不同的是 MDRAM将 BANK的容量缩小，并使每一个 BANK使用独立的汇流排(BUS)输出入埠(I/O PORT)，这样的结果是 MDRAM能同时存取数个 BANK，使资料的读写速度加快，并且能够用较小的数量增加记忆体。

NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)：中断电源时仍能保存资料的随机存取记忆体(RAM)。

SDRAM(Synchronous DRAM)：同步动态存储器:一种能够与处理器(CPU)汇流排(BUS)同步运作，时脉可达 66,100,133 MHZ的 DRAM，并能够同时开启两个记忆体页(PAGE)。

SRAM(Static RAM)：静态存储器:一种随机存取记忆体(RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline Burst SRAM):一种支援 PIPELINED与冲刺模式(BURST)的DRAM快，不像 DRAM需要不停的 REFRESH，但制造成本较高，通常用来作为快取(CACHE)记忆体使用

SVRAM(Synchronous VRAM)：同步视频存储器

VRAM(Video RAM)：视频存储器:专为绘图影像卡(VIDEO ADAPTER)所设计的随机存取记忆体(RAM)，与一般 RAM不同的是，VRAM能够使 RAMDAC能够与影像处理器(PROCESSOR)同时存取资料，加速图像的显示。

WRAM(Windows RAM)：视频存储器(图形处理能力优于VRAM)有与 VRAM类似的特性，但速度表现比 VRAM更佳。

PC100 SDRAM规范包含：内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。

凡是时钟周期TCK≤10ns,存取时间TAC≤6ns，主板时钟频率设置在100MHz下，并且在BIOS中Chipset Features Setup选项里SDRAM CASLatency Time（CAS延迟时间）中，CAS可设为2或3并带SPD的SDRAM内存条都是PC100内存条。

从外观上来看，PC100内存条最典型的特征是正面右上角的8脚SOIC封装的小芯片，这就是SPD芯片，如果你没看到这个SPD芯片，板上只留了8个焊点，那么这就不是PC100，但并不是说此内存条无法稳定工作在100MHz.

1、X代表工作频率，66MHz或100MHz等

2、A代表最小的CAS Latency数，时钟数一般为2或3

3、B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2

4、C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2

5、D代表最大tAC（Access time from CLK）时间，多为6ns、7ns等数值

由台湾VIA威盛公司制定的。133MHz的工作环境下正常工作，在其系统时钟周期tCK(System clock cycle time)的数值的规格部分必须至少为7.5ns，tAC不超过5.4ns,工作频率为133MHz。对于PC133 SDRAM来说，在CAS Latency=3，能正常工作，但在CL=2，外频为133MHz的时并不能保证能正常工作。

PC133 SDRAM的数据带宽 1.06 GB/s(64 bit/8 x 133 MHz)，比 Direct RAMBUS DRAM的 1.6 GB/s低，但PC133 SDRAM是PC100 SDRAM的延伸。

SPD（串行存在检测）是许多SDRAM DIMM模块所具有的新功能，它使BIOS能够更容易地配置系统以适应SDRAM的性能参数。

，通常是1个8针的SOIC封装（3mm*4mm）型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址宽等信息。

SPD(Serial Presence Detect串行存在检测)设备是一个8脚的串行EEPROM芯片（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦写存储器），其中存储着DIMM模块的容量、速度、电压以及行、列地址带宽等参数信息。BIOS在上电检测阶段读取这些参数，然后自动地调整CMOS有关选项，从而获得最高的性能和可靠性。

没有SPD，在使用EDO DIMM时不会有问题，由于SDRAM以EDO RAM两倍的速度工作,使用没有SPD的SDRAM DIMM时系统无法启动。

带有SPD的DIMM的正面靠右边的地方有一个8脚3mm*4mm的SOIC封装的256字节的EEPROM小芯片。型号以24LC01B居多。带有SPD的DIMM能够用于所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必须带有SPD。

内存芯片的标识中通常包括：厂商代号、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，以及电压、容量系数和特殊标识。

以“??XXX64160AT-10”为例，“??”是厂商的标志代号。

3、64是指64Mbit的容量注意是bit[位]，而不是Byte[字节]

4、16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统，需4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是8/4*32=128MB一条的内存。

6、“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO RAM，双数则是SDRAM。

位组(Byte):，一组二进位(BINARY)的位(BIT)集合。

通常称 8个位为一个位组，但是这只是习惯，而大部分的系统也都定义 8个位为一个位组，其它数目的位组定义也可以使用，只是可能会产生误解。

1。 KILOBYTE，KB，2的 10次方: 1024 BYTE。

2。 MEGABYTE，MB，2的 20次方: 1048576 BYTE，或 1024 KBYTE。

3。 GIGABYTE，GB，2的 30次方: 1073741824 BYTE，或 1024 MEGABYTE。

4。 TERABYTE，TB，2的 40次方: 1099511627776 BYTE，或 1024 GIGABYTE。

5。 PETABYTE，2的 50次方: 1125899906842624 BYTE，或 1024 TERABYTE。

6。 EXABYTE，2的 60次方: 1152921504606846976 BYTE，或 1024 PETABYTE。

7。 ZETTABYTE，2的 70次方: 1024 EXABYTE。

8。 YOTTABYTE，2的 80次方: 1024 ZETTABYTE。

内存(Memory):记忆体，储存资料的装置，主要分为为 RAM或 ROM。

SIMM(Single In_Line Memory Module):一种将记忆体(MEMORY)芯片(CHIP)焊在表面的电路板模组，使记忆体的安装与拆除较直接安装芯片为容易。SIMM的资料宽度为 32位(BIT)，而一种新技术称为 DIMM的记忆体模组，资料宽度为 64位

DIMM(Dual In-Line Memory Module):将数个记忆体(MEMORY)芯片(CHIP)装于一块电路板上的记忆体模组，DIMM的资料信道宽度是 SIMM的两倍，为 64位(BIT)。

ECC(Error-Correcting Code):一种含有特殊电路，能够自我检查错误及更正的记忆体(MEMORY)。

时钟周期：它代表RAM所能运行的最大频率，这个数字越小说明所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。

存取时间：代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为7、8或10ns。

CAS的延迟时间。这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。如PC133的SDRAM在外频为133MHz时，能运行在CAS Latency= 3，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是三个时钟周期。

二、30t等于多少g内存

30t等于30720g内存。1T内存等于1024G（T是TB的缩写，G是GB的缩写）。正常内存不会有1TB的，TB级别的是硬盘。系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称位）。按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit。1KB=1024Byte。1MB=1024KB。1GB=1024MB。1TB=1024GB。计算机的内存容量通常是指随机存储器（RAM)的容量，是内存条的关键性参数。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，正常而言，内存容量越大越有利于系统的运行。进入21世纪初期，台式机中主流采用的内存容量为2GB或4GB，512MB、256MB的内存已较少采用。

三、内存条与硬盘的区别是什么

固态硬盘是存储设备，而内存条是中转设备。

固态硬盘在断电后存储在其内部的东西不会丢失，而内存断电后再开机信息就没有了。

固态硬盘是一块长方体状的设备，而内存条是一个长条形的设备。

固态硬盘的接口分为电源接口和信号接口。而内存条是金手指类接口。

内存是电脑（PC机、单片机）必不可少的组成部分。与可有可无的外存不同，内存是以总线方式进行读写操作的部件；内存决非仅仅是起数据仓库的作用。除少量操作系统中必不可少的程序长驻内存外，我们平常使用的程序，如Windows、Linux等系统软件，包括打字软件、游戏软件等在内的应用软件，虽然把包括程序代码在内的大量数据都放在磁带、磁盘、光盘、移动盘等外存设备上，但外存中任何数据只有调入内存中才能真正使用。

电脑上任何一种输入（来自外存、键盘、鼠标、麦克风、扫描仪，等等）和任何一种输出（显示、打印、音像、写入外存，等等）无一不是通过内存才可以进行。

评价内存条的性能指标一共有四个：

(1)存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。

(2)存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。

(3)存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。

(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。